ISZ019N03L5SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ019N03L5SATMA1 מאת Infineon ו ISZ028N03LF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ019N03L5SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2.35 V
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg]
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
מארז PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (TJ max) -55C to +175C (junction, typical)
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
סטטוס RoHS — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר