ISZ023N06LM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ023N06LM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISZ072N06NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل ISZ023N06LM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 60 V —
Part Number ISZ023N06LM6 —
Orderable Part Number ISZ023N06LM6ATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A —
Pulsed Drain Current (ID, Tc) 149 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W —
العلبة PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +175C —
مستوى MSL 1 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
تبديد القدرة (TC=25°C) — 50 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C ( Tj max 175C )

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر