ISZ023N06LM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 比較

詳細並排比較 ISZ023N06LM6ATMA1 由 Infineon 與 ISZ072N06NM6ATMA1 由 Infineon. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ 啟用中

規格比較

參數 ISZ023N06LM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
品牌 Infineon Infineon
類別 MOSFETs MOSFETs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 60 V —
Part Number ISZ023N06LM6 —
Orderable Part Number ISZ023N06LM6ATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A —
Pulsed Drain Current (ID, Tc) 149 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W —
封裝 PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
工作溫度 -55C to +175C —
MSL 等級 1 1
RoHS 狀態 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
功率耗散 (TC=25°C) — 50 W
工作溫度範圍 — -55C to +175C ( Tj max 175C )

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