ISZ023N06LM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci ISZ023N06LM6ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan ISZ072N06NM6ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr ISZ023N06LM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 60 V —
Part Number ISZ023N06LM6 —
Orderable Part Number ISZ023N06LM6ATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A —
Pulsed Drain Current (ID, Tc) 149 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Kemasan PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Operasi -55C to +175C —
Aras MSL 1 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
Pembuangan Kuasa (TC=25°C) — 50 W
Gambaran Suhu Operasi — -55C to +175C ( Tj max 175C )

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga