ISZ023N06LM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ023N06LM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ072N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ023N06LM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 60 V —
Part Number ISZ023N06LM6 —
Orderable Part Number ISZ023N06LM6ATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A —
Pulsed Drain Current (ID, Tc) 149 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +175C —
MSL لیول 1 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 50 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C ( Tj max 175C )

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں