ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ033N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و ISZ028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISZ028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | 2.35 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 128 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.8 mΩ |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C (junction, typical) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (logic level at 4.5 V) |
| مستوى MSL | — | 1 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |