ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISZ033N03LF2SATMA1 द्वारा Infineon और ISZ028N03LF2SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISZ028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | 2.35 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 128 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.8 mΩ |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C (junction, typical) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (logic level at 4.5 V) |
| MSL स्तर | — | 1 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |