ISZ15EP15LMATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ15EP15LMATMA1 بواسطة Infineon و ISZ028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISZ15EP15LMATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max -150 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 1500 mOhm @ VGS = -10 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 820 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26.3 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 2.35 V
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Technology OptiMOS trench-gate StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
العلبة PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) with exposed pad PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction, typical)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1
Packaging Tape and Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر