ISZ15EP15LMATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của ISZ15EP15LMATMA1 bằng Infineon và ISZ028N03LF2SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
ISZ15EP15LMATMA1 ISZ15EP15LMATMA1 - 150V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISZ15EP15LMATMA1 - 150V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISZ15EP15LMATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon

ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon

ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số ISZ15EP15LMATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max -150 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 1500 mOhm @ VGS = -10 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 820 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26.3 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 2.35 V
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Technology OptiMOS trench-gate StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Hộp PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) with exposed pad PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction, typical)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 1
Packaging Tape and Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá