ISZ15EP15LMATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ15EP15LMATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISZ15EP15LMATMA1 ISZ15EP15LMATMA1 - 150V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISZ15EP15LMATMA1 - 150V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISZ15EP15LMATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ15EP15LMATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max -150 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 1500 mOhm @ VGS = -10 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 820 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26.3 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 2.35 V
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Technology OptiMOS trench-gate StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
پیکیج PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) with exposed pad PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction, typical)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 1
Packaging Tape and Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں