ISZ15EP15LMATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISZ15EP15LMATMA1 توسط Infineon و ISZ028N03LF2SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISZ15EP15LMATMA1 ISZ15EP15LMATMA1 - 150V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISZ15EP15LMATMA1 - 150V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISZ15EP15LMATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISZ15EP15LMATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max -150 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 1500 mOhm @ VGS = -10 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 820 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26.3 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 2.35 V
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Technology OptiMOS trench-gate StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) with exposed pad PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction, typical)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 1
Packaging Tape and Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت