K3KL7L70EM-MGCU vs K3KL2L20DM-JGCT مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3KL7L70EM-MGCU بواسطة Samsung Electronics و K3KL2L20DM-JGCT بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung
K3KL7L70EM-MGCU ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K3KL7L70EM-MGCU | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| نوع الذاكرة | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 12 Gbit (1.5 GB) | 48 Gb |
| العلبة | 315-ball FBGA | 441-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade Suffix | -MGCU | — |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: data rate Mbps/pin] | 7500 Mbps |
| Supply Voltage VDD | [DATA_NEEDED: VDD core voltage] | — |
| Supply Voltage VDDQ | [DATA_NEEDED: VDDQ I/O voltage] | — |
| التنظيم | [DATA_NEEDED: organization x32] | x64 |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Bank Architecture | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | Self-refresh and per-bank refresh per JEDEC LPDDR5X | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| الواجهة | — | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Product Status | — | Mass Production |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |