K3KL7L70EM-MGCU vs K3KL2L20DM-JGCT तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3KL7L70EM-MGCU द्वारा Samsung Electronics और K3KL2L20DM-JGCT द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung
K3KL7L70EM-MGCU ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K3KL7L70EM-MGCU | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| मेमोरी प्रकार | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 12 Gbit (1.5 GB) | 48 Gb |
| पैकेज | 315-ball FBGA | 441-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade Suffix | -MGCU | — |
| डेटा दर | [DATA_NEEDED: data rate Mbps/pin] | 7500 Mbps |
| Supply Voltage VDD | [DATA_NEEDED: VDD core voltage] | — |
| Supply Voltage VDDQ | [DATA_NEEDED: VDDQ I/O voltage] | — |
| संगठन | [DATA_NEEDED: organization x32] | x64 |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Bank Architecture | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | Self-refresh and per-bank refresh per JEDEC LPDDR5X | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| इंटरफ़ेस | — | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Product Status | — | Mass Production |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |