K3KL9L90DM-JGCT vs K3KL2L20DM-JGCT مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3KL9L90DM-JGCT بواسطة Samsung Electronics و K3KL2L20DM-JGCT بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K3KL9L90DM-JGCT | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 48 Gb |
| العلبة | FBGA-315 | 441-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -25C to +85C | -25C to +85C |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: data rate for JGCT speed grade] | 7500 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: core supply voltage] | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] | — |
| التنظيم | [DATA_NEEDED: x organization] | x64 |
| Bank Architecture | [DATA_NEEDED: bank/group configuration] | — |
| الواجهة | [DATA_NEEDED: channel configuration] | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| حالة RoHS | Compliant | unknown |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: body dimensions] | — |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] | — |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| Product Status | — | Mass Production |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |