K3KL9L90DM-JGCT vs K3KL2L20DM-JGCT तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3KL9L90DM-JGCT द्वारा Samsung Electronics और K3KL2L20DM-JGCT द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K3KL9L90DM-JGCT - LPDDR5X DRAM 16Gbit FBGA-315 | Samsung
K3KL9L90DM-JGCT ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K3KL9L90DM-JGCT | K3KL2L20DM-JGCT |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 48 Gb |
| पैकेज | FBGA-315 | 441-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -25C to +85C | -25C to +85C |
| डेटा दर | [DATA_NEEDED: data rate for JGCT speed grade] | 7500 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: core supply voltage] | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] | — |
| संगठन | [DATA_NEEDED: x organization] | x64 |
| Bank Architecture | [DATA_NEEDED: bank/group configuration] | — |
| इंटरफ़ेस | [DATA_NEEDED: channel configuration] | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| RoHS स्थिति | Compliant | unknown |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: body dimensions] | — |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] | — |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| Product Status | — | Mass Production |
| Generation | — | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) |
| Application Segment | — | AI devices, automotive, mobile |