K4A4G085WD-BCTD vs H5AN4G8NBJR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WD-BCTD بواسطة Samsung Electronics و H5AN4G8NBJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WD-BCTD | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps/pin | 2400 Mbps (PC2400) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 78-ball FBGA | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC-compatible) | DDR4 (JEDEC) |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |