K4A4G085WD-BCTD vs H5AN4G8NBJR-UHC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G085WD-BCTD توسط Samsung Electronics و H5AN4G8NBJR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G085WD-BCTD | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نرخ داده | 2666 Mbps/pin | 2400 Mbps (PC2400) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | DDR4 (JEDEC-compatible) | DDR4 (JEDEC) |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |