K4A4G085WD-BCTD vs H5AN4G8NBJR-UHC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G085WD-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5AN4G8NBJR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G085WD-BCTD | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| সংগঠন | 512M x 8 | 512M x 8 |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps/pin | 2400 Mbps (PC2400) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | 1.2 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | DDR4 (JEDEC-compatible) | DDR4 (JEDEC) |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |