K4A4G165WD-BCTD vs H5AN4G6NBJR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G165WD-BCTD بواسطة Samsung Electronics و H5AN4G6NBJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G165WD-BCTD | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| الواجهة | SSTL-12 | Parallel |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C (commercial) | -40C to +95C |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | — |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Technology | — | CMOS |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Packaging | — | Tray |