K4A4G165WD-BCTD vs H5AN4G6NBJR-VKC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WD-BCTD द्वारा Samsung Electronics और H5AN4G6NBJR-VKC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung
K4A4G165WD-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WD-BCTD | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| इंटरफ़ेस | SSTL-12 | Parallel |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | -40C to +95C |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | — |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Technology | — | CMOS |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Packaging | — | Tray |