K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G165WG-BCWE بواسطة Samsung Electronics و MT40A512M16JY-083E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G165WG-BCWE | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $16.90 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| Access Time | 19 ns | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | — |
| العلبة | FBGA-96 | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| حالة RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| خالٍ من الهالوجين | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |