K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G165WG-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT40A512M16JY-083E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ সক্রিয়Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G165WG-BCWE | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | DRAM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $16.90 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| Access Time | 19 ns | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | — |
| প্যাকেজ | FBGA-96 | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing) | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| সংগঠন | — | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |