K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A512M16JY-083E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WG-BCWE | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $16.90 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| Access Time | 19 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | — |
| پیکیج | FBGA-96 | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per JLCPCB listing) | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| ہیلوجن فری | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |