K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G045WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G045WB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 2G x 4 | 2G x 4 |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| الواجهة | CMOS, differential clock (CK/CK#) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to 85 C | 0 C to +85 C |
| العلبة | 78-ball FBGA (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| Terminals | 78 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| معدل البيانات | — | 2133 Mbps |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Max Supply Current | — | 211.7 mA |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |