K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G045WB-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A8G045WB מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 2G x 4 | 2G x 4 |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| ממשק | CMOS, differential clock (CK/CK#) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to 85 C | 0 C to +85 C |
| מארז | 78-ball FBGA (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| Terminals | 78 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| קצב נתונים | — | 2133 Mbps |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Max Supply Current | — | 211.7 mA |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |