K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCPB مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G045WB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G045WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ نشط
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4A8G045WB K4A8G045WB-BCPB
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $9.02
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
التنظيم 2G x 4 2G x 4
معدل البيانات 2133 Mbps 2133 Mbps/pin (PC4-2133)
جهد التغذية 1.2 V —
Max Supply Current 211.7 mA 211.7 mA
درجة حرارة التشغيل 0 C to +85 C 0C to +85C
العلبة 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Refresh Cycles 8192 8192
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 78 —
Clocking Differential clock (CK / CK#) Differential clocks (CK/CK#)
On-Die Termination Yes (ODT pin) —
Asynchronous Reset Yes —
Posted CAS Yes —
Programmable CWL Yes —
Internal (Self) Calibration Yes —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Prefetch Architecture — 8n
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
Reset — Asynchronous Reset
الميزات — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر