K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G045WB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G045WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung
K4A8G045WB-BCPB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G045WB | K4A8G045WB-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $9.02 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| संगठन | 2G x 4 | 2G x 4 |
| डेटा दर | 2133 Mbps | 2133 Mbps/pin (PC4-2133) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 211.7 mA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C | 0C to +85C |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | Differential clocks (CK/CK#) |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Prefetch Architecture | — | 8n |
| Burst Length | — | BL8, BC4 (burst chop) |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Reset | — | Asynchronous Reset |
| विशेषताएँ | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration |