K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCPB Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G045WB tarafından Samsung Electronics ve K4A8G045WB-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G045WB K4A8G045WB-BCPB
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $9,02
Bellek Türü DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 2G x 4 2G x 4
Veri Hızı 2133 Mbps 2133 Mbps/pin (PC4-2133)
Besleme Gerilimi 1.2 V —
Max Supply Current 211.7 mA 211.7 mA
İşletim Sıcaklığı 0 C to +85 C 0C to +85C
Paket 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Refresh Cycles 8192 8192
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 78 —
Clocking Differential clock (CK / CK#) Differential clocks (CK/CK#)
On-Die Termination Yes (ODT pin) —
Asynchronous Reset Yes —
Posted CAS Yes —
Programmable CWL Yes —
Internal (Self) Calibration Yes —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Prefetch Architecture — 8n
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
Reset — Asynchronous Reset
Özellikler — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin