K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCPB Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G045WB sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G045WB-BCPB sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Nakahanda
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro K4A8G045WB K4A8G045WB-BCPB
Brand Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorya Memory ICs Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Katayuan ng Stock — In Stock
Presyo ng Yunit (USD) — $9.02
Uri ng Memory DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
Organisasyon 2G x 4 2G x 4
Rate ng Data 2133 Mbps 2133 Mbps/pin (PC4-2133)
Volte ng Pagbibigay 1.2 V —
Max Supply Current 211.7 mA 211.7 mA
Temperature na Operasyon 0 C to +85 C 0C to +85C
Packhaging 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Refresh Cycles 8192 8192
Uri ng Pagpapasok Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 78 —
Clocking Differential clock (CK / CK#) Differential clocks (CK/CK#)
On-Die Termination Yes (ODT pin) —
Asynchronous Reset Yes —
Posted CAS Yes —
Programmable CWL Yes —
Internal (Self) Calibration Yes —
Tindminan RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Prefetch Architecture — 8n
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
Reset — Asynchronous Reset
Mga Karakteristika — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita