K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نهاية العمر الإنتاجي |
| سعر الوحدة (USD) | $4.10 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | — |
| العلبة | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | 78FBGA |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| الواجهة | DDR4 SDRAM parallel interface | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 8 |
| معدل البيانات | — | 2133 Mbps |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |