K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC-BCPB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BCPB מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WC-BCPB מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ סוף ייצורהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | סוף חיים |
| מחיר ליחידה (USD) | $4.10 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | — |
| מארז | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | 78FBGA |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| ממשק | DDR4 SDRAM parallel interface | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 1G x 8 |
| קצב נתונים | — | 2133 Mbps |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| תכונות | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |