K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICH مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BICH بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2V |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | 0°C to 85°C |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | BL8, BL16 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |