K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICH तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BICH द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| डेटा दर | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | 0°C to 85°C |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | BL8, BL16 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |