K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICH So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A8G085WB-BICH bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | 1.2V |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to 85°C | 0°C to 85°C |
| Hộp | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | BL8, BL16 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Latency CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |