K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BICH مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BITD بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BICH بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| العلبة | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| عدد الدبابيس | 78 | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |