K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BICH השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BITD מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BICH מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2V |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| מארז | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| מספר פינים | 78 | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| ממשק | Parallel | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |