K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BICH موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BITD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BICH بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| پیکیج | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| پنز کی تعداد | 78 | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |