K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICH مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BIWE بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BICH بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2V |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| العلبة | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Density | — | 8Gb |
| التنظيم | — | 1G x 8 |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |