K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICH তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WB-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB-BICH নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | 1.2V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| প্যাকেজ | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CL value] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| Density | — | 8Gb |
| সংগঠন | — | 1G x 8 |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |