K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICH مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BICH توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2V |
| دمای کاری | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Density | — | 8Gb |
| سازمان | — | 1G x 8 |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |