K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICH Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BIWE tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BICH tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Veri Hızı | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2V |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| Paket | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CL value] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Density | — | 8Gb |
| Organizasyon | — | 1G x 8 |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |