K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICH Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WB-BIWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G085WB-BICH sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Rate ng Data | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2V |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| Packhaging | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Density | — | 8Gb |
| Organisasyon | — | 1G x 8 |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |