K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G085WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 512M x 16 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0°C to 85°C |
| العلبة | 96FBGA | 78-ball FBGA |
| Die Generation | B-die | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | — |
| الواجهة | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| حالة RoHS | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |