K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G085WB-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCTD توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 512M x 16 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 2666 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0°C to 85°C |
| بسته‌بندی | 96FBGA | 78-ball FBGA |
| Die Generation | B-die | — |
| نوع نصب | Surface Mount (BGA) | — |
| رابط | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |