K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G085WB-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCTD K4A8G085WB-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 512M x 16 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C 0°C to 85°C
پیکیج 96FBGA 78-ball FBGA
Die Generation B-die —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (BGA) —
انٹرفیس DDR4 (parallel, double data rate) —
Data Mask Supported (DM per x16 lane) —
ZQ Calibration Supported —
Dynamic On-Die Termination Supported —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: Refresh Rate] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) —
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL Level] —
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں