K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCTD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCTD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 2666 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| الواجهة | DDR4 (16-bit data bus) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | B-die |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | 0C to +85C |
| الميزات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |