K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WC-BCPB מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WB-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 2666 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| ממשק | DDR4 (16-bit data bus) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | B-die |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | 0C to +85C |
| תכונות | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |