K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 2666 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| انٹرفیس | DDR4 (16-bit data bus) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| پیکیج | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | B-die |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | 0C to +85C |
| خصوصیات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |