K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCTD Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCPB tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WB-BCTD tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Veri Hızı | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 2666 Mbps |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Arayüz | DDR4 (16-bit data bus) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Paket | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | B-die |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C | 0C to +85C |
| Özellikler | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organizasyon | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |