K4A8G165WC-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WC-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WC-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $38.00 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | — |
| العلبة | 96-FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| الواجهة | Differential (CK, /CK) | DDR4 (16-bit data bus) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +95C |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |